晶圆级微纳制造技术
MEMS环行器特点
● 利用三维高精度MEMS加工技术实现硅基多层堆叠以及与磁性材料的异质集成，实现芯片化；
● 小尺寸；
● 小损耗；
● 高功率；
● 拥有多项发明专利。
● 单节插入损耗典型值：
● 0.3dB（X波段、Ku波段）
● 0.4dB（Ka波段）
● 功率容量典型值：
● 100W（X波段、Ku波段）
● 30W（Ka波段）
MEMS环行器优势
● 不同于传统磁性基片的微带环行器产品，MEMS环行器采用双层低损、高介电常数的单晶硅，通过MEMS工艺与铁氧体旋磁材料异质
● 与传统相比，MEMS环行器体积缩小10倍，重量降低100倍，这会使系统整体缩小上1000倍，甚至上10000倍。
MEMS环行器应用
● 相控阵雷达；
● 卫星通信；
● 5G/6G通信；
● 年供货量超100万只。
