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产品介绍
全球首家推出采用高精度微纳立体加工、图片封装、TSV（硅通孔）MEMS技术制作的新一代MEMS环形器，产品优势频率覆盖至40GHz，拥有高功率容量、超小损耗、全屏蔽、抗干扰的卓越微波性能，50Ω微带/共面波导输出，引线键合使用。
MEMS环形器选型表
性能指标
参数名称 | 符号 | 测试条件: 除另有规定外，-55℃≤TA≤85℃ f：8GHz～12GHz，Pi=-10dBm，Z0=50Ω | 极限值 | 单位 | |
最小 | 最大 | ||||
插入损耗 | IL＋ | TA =25℃； | － | 0.5 | dB |
TA =极限温度（-55℃/85℃） | － | 0.6 | dB | ||
隔离度 | ISO－ | TA =25℃； | 15 | － | dB |
TA =极限温度（-55℃/85℃） | 14 | － | dB | ||
电压驻波比 | VSWR | TA =25℃； | － | 1.40 | － |
TA =极限温度（-55℃/85℃） | － | 1.45 | － | ||
应用领域
- 雷达
- 航空航天
- 微波通信
主要尺寸及接口定义
注： P1、P2、P3为引线键合区；
“N”表示传输方向为逆时针，即P1→P2→P3。
尺寸符号 | 数值（单位：mm） | ||
| 最小 | 公称 | 最大 |
A | - | - | 2.70 |
A1 | - | 0.70 | - |
D | 5.90 | - | 6.00 |
E | 5.90 | - | 6.00 |
E1 | - | 4.50 | - |
E2 | - | 4.50 | - |
E3 | - | 3.00 | - |
典型曲线
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