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射频RF MEMS 器件
MEMS 环行器
1）高频段：产品频段6GHz~40GHz，填补小型化毫米波频段空白；
2）高功率：采用硅腔体结构，已实测结果:X、Ku频段: 50W；Ka频 段：20W；
3）低损耗：实测典型值0.4dB~0.5dB；
4）屏蔽性：采用硅腔体封装结构，环境适应性好；
5）一致性好：MEMS高精度加工，批量一致性好；
6）其他：具有抗干扰能力强、机械特性优良等特点。
MEMS 隔离器
1）高频段：产品频段6GHz~40GHz，填补小型化毫米波频段空白；
2）高功率：采用硅腔体结构，已实测结果:X、Ku频段: 50W；Ka频 段：20W；
3）低损耗：实测典型值0.4dB~0.5dB；
4）屏蔽性：采用硅腔体封装结构，环境适应性好；
5）一致性好：MEMS高精度加工，批量一致性好；
6）其他：具有抗干扰能力强、机械特性优良等特点。
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